买卖IC网 >> 产品目录 >> SI3457DV-T1-E3 MOSFET 30V 4.3A 2W datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI3457DV-T1-E3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 30V 4.3A 2W
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 30V 4.3A 2W
SI3457DV-T1-E3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 P-Channel
汲极/源极击穿电压 30 V
闸/源击穿电压 +/- 20 V
漏极连续电流 4.3 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.065 Ohms
配置 Single
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 TSOP-6
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SI3457DV-T1-E3
SI3457DV-T1-GE3
SI3457DV-TI
SI3457DV-TI-E3
Si3458BDV
SI3458BDV-T1-E3
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  • SI3457DV-T1-E3 参考价格
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